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外媒:英特爾7nm工藝理論上不會受到10nm延遲影響

【TechWeb】1月19日消息,據國外媒體報道,10nm工藝量產時間延遲,英特爾在芯片工藝方面已經落后于準備量產5nm工藝的臺積電,也落后于三星,但外媒在報道中透露,英特爾的7nm工藝,理論上不會受到10nm工藝延遲的影響。

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從外媒的報道來看,7nm工藝理論上不會受到10nm工藝延遲的影響,可能還是同采用新的技術有關,其是基于極紫外光刻(EUV)的獨立的制程。

雖然英特爾的7nm工藝理論上不會受到10nm工藝延遲的影響,但其在這一工藝的采用時間方面還是落后于臺積電和三星,為蘋果、華為等公司代工芯片的臺積電,在2018年就已率先量產7nm芯片,今年已是7nm投產的第三個年頭,更先進的5nm工藝也即將量產,臺積電方面預計今年可貢獻10%的營收。

而反觀英特爾,他們的7nm芯片目前還尚未推出,預計要在明年才會推出。

在去年5月份的英特爾投資者會議上,英特爾首席工程官兼技術、系統架構和客戶集團的總裁Murthy Renduchintala曾透露,7nm是英特爾首次采用EUV技術,性能預計可提升20%,首款產品預計是用于數據中心人工智能和高性能計算的通用GPU,預計在2021年推出。

另外在此前所披露的未來十年的技術路線圖中,7nm工藝也是計劃在明年推出,2023年則會是更先進的5nm工藝。

外媒在10nm工藝延遲理論上不會影響7nm工藝的報道中,也提到了英特爾7nm芯片的量產事宜,英特爾CEO鮑勃·斯旺(Robert Swan)透露英特爾的首款7nm芯片在將在2021年四季度生產。外媒在報道中也提到,英特爾似乎已準備在明年四季度推出7nm(相當于臺積電的5nm)的產品。

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